| 发明名称 | 一种制造高红外吸收硅材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种制造高红外吸收硅材料的方法，包括：制备硅衬底材料；在硅衬底材料上注入掺杂离子，形成掺杂层；用激光脉冲照射形成了掺杂层的硅衬底材料的表面，使该表面形成平整表面。本发明的实例的方法中，首先利用离子注入技术在硅衬底上形成高浓度掺杂，从而拓宽能带吸收，增加吸收率，然后利用低能激光脉冲照射修复表面损伤和缺陷且保持表面平整度。这样，不仅可以通过高浓度的表面掺杂拓宽能带吸收，而且通过控制激光脉冲能量可以减少离子注入带来的表面损伤及缺陷。同时，表面平整的硅材料利于后续的半导体加工，且工艺重复性和均匀性较好。 | ||
| 申请公布号 | CN104157737A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201410404489.9 | 申请日期 | 2014.08.18 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 李世彬;王健波;张鹏;余宏萍;吴志明 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I;H01L31/0288(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人 | 谭新民 |
| 主权项 | 一种制造高红外吸收硅材料的方法，其特征在于，包括：制备硅衬底材料；在所述硅衬底材料上注入掺杂离子，形成掺杂层；用激光脉冲照射形成了所述掺杂层的所述硅衬底材料的表面，使形成了所述掺杂层的所述硅衬底材料的所述表面形成平整表面。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||