提高写入速度的浮体动态随机存储器单元及其制作方法

摘要

一种提高写入速度的浮体效应存储器单元的制作方法，在衬底上形成若干间隔的P阱和N阱用以制作第一MOS管和第二MOS管，相邻的N阱和P阱之间用一浅沟槽隔离，在所述N阱上形成第一多晶硅栅，在所述P阱上形成第二多晶硅栅，接着进行轻掺杂漏注入工艺，再进行环状注入，其中，所述环状注入包括如下步骤：以与竖直方向呈第一斜角向P阱上用于形成漏端的区域注入三价元素；以与竖直方向呈第二斜角向P阱上用于形成源端的区域注入三价元素；以与竖直方向呈第一斜角向N阱上用于形成漏端的区域注入五价元素；以与竖直方向呈第二斜角向N阱上用于形成源端的区域注入五价元素；其中，所述第二斜角值大于所述第一斜角值，注入的方向为指向多晶硅栅方向。

主权项

一种提高写入速度的浮体效应存储器单元，包括：形成在底层硅上的氧埋层，所述氧埋层上方设置有若干第一MOS管和第二MOS管，每一个MOS管底部为衬底，衬底的两端接触浅沟槽隔离，所述衬底靠近所述浅沟槽隔离的上端分别设置有源端和漏端，所述源端和漏端之间的衬底上具有沟道，所述沟道的上方设置有栅极，所述栅极位于所述MOS管两端浅沟槽之间正中位置，其特征在于：所述漏端远离所述浅沟槽隔离的一侧具有第一空间电荷区域，所述源端远离所述浅沟槽隔离的一侧具有第二空间电荷区域，所述第一空间电荷区域的面积比所述第二空间电荷区域的面积大；所述栅极与所述漏端在竖直方向上的交叠区域比所述栅极与源端在竖直方向上的交叠区域大；所述第一空间电荷区域在沟道方向上的宽度大于所述第二空间电荷区域在沟道方向上的宽度；其中，通过多次环状注入工艺以制备所述源端和漏端，包括以下工艺步骤：以与竖直方向呈第一斜角向P阱上用于形成漏端的区域注入三价元素；以与竖直方向呈第二斜角向P阱上用于形成源端的区域注入三价元素；以与竖直方向呈第一斜角向N阱上用于形成漏端的区域注入五价元素；以与竖直方向呈第二斜角向N阱上用于形成源端的区域注入五价元素；所述第二斜角值大于所述第一斜角值。