干式蚀刻法

摘要

公开了一种干式蚀刻方法，包括第一步骤和第二步骤。第一步骤包括从混合气体生成第一种等离子体，并用所述第一种等离子体在硅层(Ls)进行各向异性蚀刻在其上形成凹槽，所述混合气体包括氧化气体和含氟气体；第二步骤包括交替地重复使用第二种等离子体在凹槽内侧表面形成有机膜的有机膜形成过程以及使用第一种等离子体在覆盖了有机膜的凹槽中进行各向异性蚀刻的蚀刻过程。当蚀刻阻挡层(Lo)从第一步骤形成的凹槽底部表面的部分露出来时，将第一步骤切换至第二步骤。

主权项

一种穿过具有开口的掩膜层在包括设置在由电介质形成的蚀刻阻挡层上的硅层的基材上进行干式蚀刻的方法，所述方法包括：第一步骤，从包含氧化所述硅层的氧化气体和含氟气体的混合气体生成第一等离子体，使所述基材维持在负偏置电势下处于所述第一等离子体中，并穿过所述掩膜层的开口以所述第一等离子体在所述硅层上进行各向异性蚀刻，以在所述硅层中形成凹槽；以及第二步骤，交替地重复实施有机膜形成过程和蚀刻过程，其中所述有机膜形成过程包括：形成第二等离子体，该第二等离子体用于形成可以用第一等离子体去除的有机膜，使所述基材维持在负偏置电势下处于所述第二等离子体中，并用所述第二等离子体在所述凹槽的内表面上沉积所述有机膜，并且所述蚀刻过程包括：自所述混合气体生成所述第一等离子体，将使基材维持在负偏置电势下处于所述第一等离子体中，并穿过所述掩膜层的开口以所述第一等离子体在由所述有机膜覆盖的所述凹槽中进行各向异性蚀刻；其中当所述蚀刻阻挡层从在所述第一步骤中形成的所述凹槽的底部表面的部分暴露出来时，所述第一步骤切换至所述第二步骤。