Cu₂ZnSnS₄肖特基二极管结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种新的Cu₂ZnSnS₄肖特基二极管结构及制备方法。所述Cu₂ZnSnS₄肖特基二极管结构包括衬底，金属底电极层，Cu₂ZnSnS₄薄膜层和金属顶电极层；在所述衬底上，自下而上依次沉积所述金属底电极层、Cu₂ZnSnS₄薄膜层和金属顶电极层。本发明Cu₂ZnSnS₄肖特基二极管避免器件结构中出现大的串联电阻，从而优化肖特基二极管的理想因子，有利于提高器件的截止频率，适合应用于高频电路中。本发明所用原料丰富，价格低廉，抗辐射抗衰减能力强，稳定性好，沉积方法较为多样，衬底选择性多，使得器件结构设计比较灵活，制备工艺简单，具广泛应用前景。

主权项

一种Cu₂ZnSnS₄肖特基二极管结构，其特征在于，其包括衬底(1)，金属底电极层(2)，Cu₂ZnSnS₄薄膜层(3)和金属顶电极层(4)；其中，在所述衬底(1)上，自下而上依次沉积所述金属底电极层(2)、Cu₂ZnSnS₄薄膜层(3)和金属顶电极层(4)。