发明名称 |
一种三维碳微阵列与水滑石复合材料的制备方法及其作为无酶传感器的应用 |
摘要 |
本发明公开了一种三维碳微阵列与水滑石复合材料的制备方法及其作为无酶传感器的应用。本发明的技术方案是:以硅片为基底,在其表面采用光刻方法制备出光刻胶微阵列,经高温碳化后得到三维碳微阵列,然后在其表面沉积AlOOH薄层,最后置于水热釜中原位生长出水滑石薄层,即得到三维碳微阵列与水滑石复合材料。具有良好生物相容性的碳微阵列,形成一个个微型的集流体,其表面密布的水滑石薄层,提供了大比表面积的电催化活性位点,使复合材料适宜于用做无酶传感器工作电极。此外本发明的复合电极,可批量生产,并且固定有碳微阵列的硅片电极可以切割成多个电极使用,极大降低了传感器工作电极的生产成本,并具有良好的操作稳定性及储存稳定性。 |
申请公布号 |
CN104155353A |
申请公布日期 |
2014.11.19 |
申请号 |
CN201410372951.1 |
申请日期 |
2014.07.31 |
申请人 |
深圳市容大感光科技股份有限公司;北京师范大学 |
发明人 |
海波;邹应全;杨遇春;晏凯 |
分类号 |
G01N27/26(2006.01)I;G01N27/327(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 |
代理人 |
张水俤 |
主权项 |
一种三维碳微阵列与水滑石复合材料,其特征在于,该材料是由水滑石薄层生长在三维碳微阵列表面构成的;所述的三维碳微阵列由碳微柱子组成,碳微柱子的高度范围是35‑120μm,直径范围是20‑60μm,间距范围是20‑120μm;所述的水滑石薄层由垂直生长于三维碳微阵列表面的水滑石片组成,水滑石薄层的厚度范围是0.2‑0.9μm;水滑石片的厚度范围是5‑40nm,径向尺寸范围是10‑400nm。 |
地址 |
518103 广东省深圳市宝安区福永街道福永立新湖第一科技园研发楼1-3楼 |