| 发明名称 | 硅薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅薄膜的制备方法，使用中压等离子体设备制备硅薄膜，包括以下步骤：将衬底清洗后放入沉积腔室的样品台上；将所述沉积腔室抽真空；在等离子体喷枪的腔体中通入第一气体，所述第一气体在所述等离子体喷枪的腔体中生成等离子体；在所述等离子体喷枪的腔体中通入第二气体，所述第二气体在所述等离子体喷枪的腔体中分解为包含硅原子的气体粒子；所述硅原子在所述等离子体的携带下进入沉积腔室，并沉积在所述衬底上形成硅薄膜；在所述硅薄膜的沉积过程中，所述沉积腔室中的压力为0.1kPa～10kPa，且所述压力值恒定。上述方法可实现较低温度下硅薄膜的快速生长。 | ||
| 申请公布号 | CN104152864A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201410419021.7 | 申请日期 | 2014.08.22 |
| 申请人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明人 | 邬苏东;叶继春;高平奇;杨映虎;韩灿 |
| 分类号 | C23C16/24(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 李芙蓉 |
| 主权项 | 一种硅薄膜的制备方法，其特征在于，使用中压等离子体设备制备硅薄膜，包括以下步骤：将衬底清洗后放入沉积腔室的样品台上；将所述沉积腔室抽真空；在等离子体喷枪的腔体中通入第一气体，所述第一气体在所述等离子体喷枪的腔体中生成等离子体；在所述等离子体喷枪的腔体中通入第二气体，所述第二气体在所述等离子体喷枪的腔体中分解为包含硅原子的气体粒子；所述硅原子在所述等离子体的携带下进入沉积腔室，并沉积在所述衬底上形成硅薄膜；在所述硅薄膜的沉积过程中，所述沉积腔室中的压力为0.1kPa～10kPa，且所述压力值恒定。 | ||
| 地址 | 315201 浙江省宁波市镇海庄市大道519号 | ||