一种新型PoP堆叠封装结构及其制造方法

摘要

本发明的新型PoP堆叠封装结构，包括两层或两层以上的封装体，每层封装体中包含单个或多个晶片；相邻两封装体中：上层封装体中的信号端通过导通线与焊盘相连接，下层封装体中晶片的外围设置有贯穿于树脂保护层的连接通孔。本发明封装结构的制造方法包括：a)晶圆磨片；b)晶圆划片；c)上片操作；d)塑封；e)再布线；f)粘附；g)开设通孔；h)置球；i)绝缘处理；j)切单。本发明的PoP堆叠封装结构，通过设置连接通孔，不仅可将上层晶片的焊盘信号引出，还可使得引脚间距增大，避免了信号之间的干扰，有利于芯片的封装。本发明的制造方法，每个晶片的处理过程均相互独立，不仅提高了工作效率，而且还保证了成品率。

主权项

一种新型PoP堆叠封装结构，其特征在于：包括两层或两层以上的封装体，其最下层为表面设置有锡球（11）的底层封装体（2），最上层为顶层封装体（1），每层封装体由单个或多个晶片以及设置于晶片外围的树脂保护层（7）组成，每个晶片的正面均设置有焊盘（4）；相邻两封装体中：上层封装体中晶片外围的树脂保护层上设置有信号端（6），信号端通过再布线技术形成的导通线（5）与该层封装体内晶片的焊盘相连接，下层封装体中晶片的外围设置有贯穿于树脂保护层的连接通孔（8），连接通孔内填充有用于将上层封装体中信号端的电信号引出的导电物质；所述底层封装体的下表面上设置有与该层晶片的焊盘或连接通孔中的导电物质电连接的引出端（10），锡球固定于引出端上。