一种利用二维金属层厚度降低石墨烯电极接触电阻的方法

摘要

本发明属于二维材料基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用二维金属层厚度来降低石墨烯电极接触电阻的方法。通过物理气相沉积（PVD）的方法在石墨烯器件上淀积金属电极。制作一种石墨烯/二维金属层/金的结构。通过调节二维金属层的厚度来调节石墨烯与二维金属层的接触，调节接触势垒，使接触势垒最低，通过这种方法来降低石墨烯接触电阻。通过这种方法可以有效地来降低石墨烯接触电阻，从而制备性能优良的石墨烯器件，而且这方法简单方便。该方法可以作为制备二维材料器件的一种基本方法。

主权项

一种利用二维金属层厚度降低石墨烯电极接触电阻的方法，其特征在于具体步骤为： （1）提供生长有石墨烯的样品；（2）利用物理气相沉积的方法，在石墨烯上淀积0.1‑5 nm不同厚度的超薄二维金属层；（3）通过原位紫外光电子能谱测量不同厚度的二维金属层‑石墨烯接触，分析和确定达到势垒最低的厚度，即为二维金属层的最优厚度；（4）利用物理气相沉积的方法，在石墨烯器件上淀积最优厚度的二维金属层；（5）利用物理气相沉积的方法，淀积20—200 nm厚度的金属M，形成石墨烯/二维金属层/金属M的器件接触结构。