| 发明名称 | 一种具有低编译电压捕获电荷的BE-SONOS结构器件及形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有低编译电压捕获电荷的BE-SONOS结构器件，硅衬底上设有多层结构的栅极，所述栅极从下至上包括：氧化硅层（31）、含富氮的氮化硅层（32）、氧化硅层（33）、氮化硅层（34）、阻挡氧化层（35）和控制栅（36），所述氧化硅层与硅衬底相接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102723368B | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201210204452.2 | 申请日期 | 2012.06.20 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 田志 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/792(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种具有低编译电压捕获电荷的BE‑SONOS结构器件，其特征在于，硅衬底上设有多层结构的栅极，所述栅极从下至上包括：氧化硅层(31)、含富氮的氮化硅层(32)、氧化硅层(33)、氮化硅层(34)、阻挡氧化层(35)和控制栅(36)，所述氧化硅层与硅衬底相接触；所述含富氮的氮化硅层(32)中的Si/N浓度比为0.05～0.2。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||