| 发明名称 | 一种高散热性LED芯片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高散热性LED芯片及其制备方法。通过在LED芯片表面沉积一层透明导热膜，增强芯片表面的热量传导能力，降低芯片温度，改善芯片表面温场的均匀性。该透明导热膜选用ZrO<sub>2</sub>和Ag镀膜材料，采用物理气相沉积方法，在LED芯片衬底上依次生长ZrO<sub>2</sub>膜层，Ag膜层和ZrO<sub>2</sub>膜层的组合结构，该组合膜层能够实现芯片表面的透明导热功能。本发明能够有效降低LED芯片温度，延缓芯片老化，能够减小芯片表面的温场梯度，改善芯片表面发光的一致性。 | ||
| 申请公布号 | CN104157747A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201410403646.4 | 申请日期 | 2014.08.15 |
| 申请人 | 大恒新纪元科技股份有限公司 | 发明人 | 郑琪;王华清;李荣源;董炜玮;齐向波;马利伟 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人 | 余长江 |
| 主权项 | 一种高散热性LED芯片，包括LED芯片衬底、荧光粉涂层和透明导热膜，所述透明导热膜位于LED芯片衬底和荧光粉涂层之间，从LED芯片衬底表面开始依次为ZrO<sub>2</sub>膜层，Ag膜层和ZrO<sub>2</sub>膜层。 | ||
| 地址 | 100080 北京市海淀区苏州街3号大恒科技大厦北座15层 | ||