| 发明名称 | 一种掺杂多孔SiCOH低介电常数薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种掺杂多孔SiCOH低介电常数薄膜的制备方法，其特征在于以DMCPS环有机硅烷为前驱体，以含有弱极化元素或基团的CH<sub>4</sub>、CHF<sub>3</sub>中的至少一种作为掺杂源，采用电子回旋共振等离子体方法来制备薄膜。本发明提供的这种制备方法，其核心是向前驱体中掺入含有弱极化元素或基团的掺杂源，由于掺入大尺寸的CH<sub>x</sub>基团或弱极化的F原子，能够有效降低介电常数，确保最终得到的低介电常数薄膜既有适当的孔隙率，又有良好的薄膜特性。 | ||
| 申请公布号 | CN104152850A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201410315333.3 | 申请日期 | 2014.07.03 |
| 申请人 | 苏州大学 | 发明人 | 叶超;廖良生;袁大星;王响英 |
| 分类号 | C23C14/22(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市科名专利代理事务所(特殊普通合伙) 11468 | 代理人 | 程美琼 |
| 主权项 | 一种掺杂多孔SiCOH低介电常数薄膜的制备方法，其特征在于以DMCPS环有机硅烷为前驱体，以含有弱极化元素或基团的CH<sub>4</sub>、CHF<sub>3</sub>中的至少一种作为掺杂源，采用电子回旋共振等离子体方法来制备薄膜。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 | ||