发明名称 |
利用模板电化学合成技术制备多层纳米线的方法 |
摘要 |
本发明涉及利用模板电化学合成技术制备多层纳米线的方法;采用三个电镀槽,利用三电极体系进行控电位沉积;先将二次阳极氧化铝膜电极置于NiFe电镀槽中,控电位沉积NiFe合金,经超声清洗,快速转换至Cu电镀槽中,控电位沉积Cu,后经超声清洗,快速转换至Co电镀槽中,控电位沉积Co,然后经超声清洗,快速转换至Cu电镀槽中,控电位沉积Cu,为1个周期,如此重复,获得NiFe/Cu/Co/Cu多层纳米线。利用本发明方法制备的NiFe/Cu/Co/Cu自旋阀多层纳米线的巨磁电阻(GMR)效应,可制作高密度磁随机存储器、巨磁电阻读出磁头、高灵敏度磁传感器等,在信息存储、自动测量等领域有着广阔的应用前景。 |
申请公布号 |
CN104152958A |
申请公布日期 |
2014.11.19 |
申请号 |
CN201410400052.8 |
申请日期 |
2014.08.14 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
张卫国;王宏智;姚素薇 |
分类号 |
C25D5/10(2006.01)I;C25D1/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C25D5/10(2006.01)I |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 |
代理人 |
王丽 |
主权项 |
一种利用模板电化学合成技术制备多层纳米线的方法,其特征是采用三个电镀槽,利用三电极体系进行控电位沉积;先将二次阳极氧化铝膜电极置于NiFe电镀槽中,控电位沉积NiFe合金,经超声清洗,快速转换至Cu电镀槽中,控电位沉积Cu,后经超声清洗,快速转换至Co电镀槽中,控电位沉积Co,然后经超声清洗,快速转换至Cu电镀槽中,控电位沉积Cu,为1个周期,如此重复,获得NiFe/Cu/Co/Cu多层纳米线。 |
地址 |
300072 天津市南开区卫津路92号天津大学 |