| 发明名称 | 四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法，其化学式为xPb(Mg<sub>1/3</sub>Nb<sub>2/3</sub>)O<sub>3</sub>-yPb(In<sub>1/2</sub>Nb<sub>1/2</sub>)O<sub>3</sub>-zBiAlO<sub>3</sub>-(1-x-y-z)PbTiO<sub>3</sub>，其中0﹤x﹤1，0﹤y﹤1，0﹤z﹤1且x+y+z﹤1。生长方法为：称取除铅之外的氧化物原料，在高温下预烧；将预烧后的物料与铅的氧化物混合压块；然后在500～1250℃下保温3～20h，继续升高温度至1340～1410℃，保温3～15h，使起始料全部熔化，以0.1～1.2mm/h速度下降逐渐结晶，界面温度梯度为20～100℃/cm；生长完毕，以10～300℃/h速度冷却到室温。本发明的方法可根据需要生长不同取向、不同形状和不同尺寸的压电晶体，具有工艺设备简单、操作方便、一炉多产等优点，适合于工业规模化晶体的生长或生产。 | ||
| 申请公布号 | CN104152997A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201310178543.8 | 申请日期 | 2013.05.14 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 刘锦峰;许桂生;杨丹凤;刘莹 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人 | 刘秋兰 |
| 主权项 | 一种四元系弛豫型压电单晶材料，其特征在于所述压电单晶材料的化学式为xPb(Mg<sub>1/3</sub>Nb<sub>2/3</sub>)O<sub>3</sub>‑yPb(In<sub>1/2</sub>Nb<sub>1/2</sub>)O<sub>3</sub>‑zBiAlO<sub>3</sub>‑(1‑x‑y‑z)PbTiO<sub>3</sub>，其中0﹤x﹤1，0﹤y﹤1，0﹤z﹤1且x+y+z﹤1。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||