发明名称 |
基于石墨烯/硅/石墨烯的雪崩光电探测器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于石墨烯/硅/石墨烯的雪崩光电探测器及其制备方法,所述雪崩光电探测器包括n型硅衬底、二氧化硅隔离层、二氧化硅窗口、二氧化硅绝缘层、顶电极、石墨烯叉指电极薄膜和抗反射层。本发明以石墨烯作为透明叉指电极,与衬底硅形成MSM型结构光电探测器。该光电探测器可以进行宽光谱探测,解决了传统硅基PIN结对紫外光探测响应低的问题;抗反射层增强入射光的吸收,增强光生电流;在较大的反向偏压作用下,石墨烯叉指电极之间产生很强的电场,光生载流子与硅晶格易于产生碰撞离子化,获得很高的增益。本发明具有响应度高,响应速度快,内部增益大,开关比小,低功耗的特点。 |
申请公布号 |
CN104157721A |
申请公布日期 |
2014.11.19 |
申请号 |
CN201410390871.9 |
申请日期 |
2014.08.08 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
徐杨;万霞;王雪;郭宏伟;王锋;施添锦;孟楠;俞滨 |
分类号 |
H01L31/107(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/107(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
邱启旺 |
主权项 |
基于石墨烯/硅/石墨烯的雪崩光电探测器,其特征在于,包括:n型硅衬底(1)、二氧化硅隔离层(2)、二氧化硅窗口(3)、二氧化硅绝缘层(4)、顶电极(5)、石墨烯叉指电极薄膜(6)和抗反射层(7);其中,所述n型硅衬底(1)的上表面覆盖二氧化硅隔离层(2),在二氧化硅隔离层(2)上开有二氧化硅窗口(3),使二氧化硅隔离层(2)成凹形结构;在二氧化硅隔离层(2)相对的两侧的上表面各覆盖一顶电极(5),两个顶电极(5)不连通,且边界小于二氧化硅隔离层(2)的边界;在二氧化硅窗口(3)与n型硅衬底(1)交界处覆盖二氧化硅绝缘层(4);在二氧化硅隔离层(2)开口的内侧壁、顶电极(5)和二氧化硅绝缘层(4)的表面覆盖石墨烯叉指电极薄膜(6),石墨烯叉指电极薄膜(6)的两翼分别放在两个顶电极(5)上,顶电极(5)上表面石墨烯叉指电极薄膜(6)的覆盖范围小于顶电极(5)的边界;在二氧化硅绝缘层(4)和石墨烯叉指电极薄膜(6)的表面覆盖抗反射层(7)。 |
地址 |
310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 |