发明名称 |
有机电致发光显示器的阵列基板及其制造方法 |
摘要 |
一种有机电致发光显示器的阵列基板及其制造方法,所述制造方法包括:在基板上形成半导体层、半导体虚拟图案、第一存储电极和第一栅绝缘层;在半导体层和第一存储电极上形成第二栅绝缘层;在第二栅绝缘层上形成栅极和第二存储电极;在半导体层的两侧中掺入杂质,从而形成欧姆接触层;在栅极和第二存储电极上形成层间绝缘层;在层间绝缘层上形成源极、漏极和第三存储电极;在源极、漏极和第三存储电极上形成钝化层;在钝化层上形成第一电极和第四存储电极;以及在第一电极上形成衬垫料和堤。 |
申请公布号 |
CN102456624B |
申请公布日期 |
2014.11.19 |
申请号 |
CN201110346027.2 |
申请日期 |
2011.11.02 |
申请人 |
乐金显示有限公司 |
发明人 |
崔熙东;全镇埰;田承峻;金会龙 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;钟强 |
主权项 |
一种有机电致发光显示器的阵列基板的制造方法,包括:制备包括像素区、驱动区和存储区的基板;在所述基板上形成半导体层、半导体虚拟图案、第一栅绝缘层和第一存储电极,其中所述半导体层和第一栅绝缘层的第一部分顺序设置在所述驱动区,所述半导体虚拟图案、第一栅绝缘层的第二部分以及第一存储电极顺序设置在所述存储区;在半导体层和第一存储电极上形成第二栅绝缘层;在第二栅绝缘层上形成栅极和第二存储电极,其中所述栅极与半导体层的中心部分对应,所述第二存储电极和第一存储电极对应;利用栅极作为掺杂掩模,在半导体层的两侧中掺入杂质,从而形成欧姆接触层;在栅极和第二存储电极上形成层间绝缘层,其中所述层间绝缘层具有露出欧姆接触层的第一和第二接触孔;在层间绝缘层上形成源极、漏极和第三存储电极,其中所述源极、漏极和欧姆接触层接触,所述第三存储电极和第二存储电极对应;在源极、漏极和第三存储电极上形成钝化层,其中所述钝化层具有露出漏极的漏极接触孔;在钝化层上形成第一电极和第四存储电极,其中所述第一电极通过漏极接触孔和漏极接触,所述第四存储电极和第三存储电极对应;以及在第一电极上形成衬垫料和堤,其中所述衬垫料设置在相邻像素区之间并且具有第一厚度,所述堤沿着像素区的边界设置并且具有比第一厚度薄的第二厚度,其中所述第一存储电极、第二栅绝缘层和第二存储电极形成第一存储电容器,所述第二存储电极、层间绝缘层和第三存储电极形成第二存储电容器,所述第三存储电极、钝化层和第四存储电极形成第三存储电容器,其中所述第一、第二和第三存储电容器并联连接,其中所述第三存储电极和源极连接,所述第四存储电极和第一电极连接。 |
地址 |
韩国首尔 |