发明名称 用于在存储介质中产生微结构的方法
摘要 本发明涉及用于一种在存储介质中产生微结构的方法,其中,写入光束定向到写入轨迹上,在布置在那里的存储材料上聚焦并且相对于存储材料运动;其中,微结构通过在存储材料内逐点引入光束能量被写入到存储材料内;并且其中,将存储材料连续地或不连续地沿写入轨迹-运行方向继续运动。建议提供至少一个用于另外的存储介质的另外的写入轨迹,并且在第一写入轨迹上写入存储介质后将写入光束偏转到下一个写入轨迹上。
申请公布号 CN102057335B 申请公布日期 2014.11.19
申请号 CN200980121896.6 申请日期 2009.09.25
申请人 蒂萨斯克里博斯有限责任公司 发明人 斯蒂芬·诺埃特;罗伯特·托曼;马塞厄斯·格斯帕克;克里斯托弗·迪特里克
分类号 G03H1/02(2006.01)I;G03H1/08(2006.01)I 主分类号 G03H1/02(2006.01)I
代理机构 北京市嘉元知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11484 代理人 张永新
主权项 一种用于在布置在带状存储介质(3)上的存储材料(2)中产生微结构的方法,其中,写入光束(5)定向到第一写入轨迹(A)上,在布置在那里的存储材料(2)上聚焦并且相对于存储材料(2)运动,并且其中,所述微结构在所述第一写入轨迹(A)上的第一写入区域(11;11a,11b,11c)内通过在该存储材料(2)内逐点引入光束能量被写入到该存储材料(2)内,其特征在于,提供至少一个用于写入另外的微结构的、第一写入轨迹(A)上的写入区域(11;11a,11b,11c),提供至少一个具有另外的写入区域(11;11a,11b,11c)的另外的写入轨迹(B,C),在所述另外的写入轨迹(B,C)上提供了用于写入的存储材料(2),并且在第一写入区域(11;11a,11b,11c)中写入第一微结构后将所述写入光束(5)偏转到另外的写入轨迹的下一个写入区域(11;11a,11b,11c)上。
地址 德国海德堡