调整栅极功函数的方法与具有金属栅极的晶体管

摘要

本发明公开了一种调整栅极功函数的方法，其步骤包含提供一基底，一金属栅极设在基底上，一源极掺杂区和一漏极掺杂区分别设在金属栅极相对两侧的基底中，其中所述金属栅极分为一靠所述源极掺杂区的源极侧以及一靠所述漏极掺杂区的漏极侧，然后，形成一掩模层覆盖所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区，接着，进行一植入工序将氮植入金属栅极，使得所述源极侧具有第一氮浓度且所述漏极侧具有第二氮浓度，第一氮浓度高于第二氮浓度，最后移除所述掩模层。

主权项

一种调整栅极功函数的方法，其特征在于，包含：提供一基底，一金属栅极设在所述基底上，所述金属栅极由掺杂氮的单一单层金属所构成，一材料层设在所述金属栅极与所述基底之间，一源极掺杂区和一漏极掺杂区分别设在所述金属栅极相对两侧的基底中，其中所述金属栅极分为一靠所述源极掺杂区的源极侧以及一靠所述漏极掺杂区的漏极侧，所述源极侧与所述漏极侧为相同的金属材质且都与所述材料层接触；形成一掩模层覆盖所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区；进行一植入工序将氮植入所述金属栅极，使得所述源极侧具有一第一氮浓度且所述漏极侧具有一第二氮浓度，所述第一氮浓度高于所述第二氮浓度；以及移除所述掩模层。