LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片

摘要

本发明提供了一种LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片，LED外延层结构，包括依次叠置的掺Si-N型GaN层、MQW层和P型AlGaN层，所述MQW层包括多个依次叠置的MQW单元，所述MQW单元包括叠置的In_XGa_(1-X)N层和GaN层，由所述掺Si-N型GaN层向P型AlGaN层方向，各所述In_XGa_(1-X)N层中的X由0.05～0.3匀速渐变至0.3～0.05。本发明提供的LED芯片从In组分渐变出发，通过调整多量子阱层中In组分分布的起伏，增加发光层准量子点的数目，提高电子和空穴波函数的交叠积分，提高电子和空穴的复合效率。

主权项

一种LED外延层结构，包括依次叠置的掺Si‑N型GaN层、MQW层和P型AlGaN层，所述MQW层包括多个依次叠置的MQW单元，所述MQW单元包括叠置的In_XGa_(1‑X)N层和GaN层，其特征在于，由所述掺Si‑N型GaN层向P型AlGaN层方向，各所述In_XGa_(1‑X)N层中的X由0.05～0.3匀速渐变至0.3～0.05。