等离子体薄膜沉积装置及沉积方法

摘要

本发明提供了一种等离子体薄膜沉积装置及沉积方法，该装置包括腔体、供气系统、等离子体喷枪系统、抽真空系统、射频电源系统和压力控制系统，所述腔体中设置有样品台；所述等离子体喷枪系统与所述供气系统连通；所述抽真空系统与所述腔体连通；所述压力控制系统与所述腔体连通，在所述压力控制系统中设置有压力控制阀；所述压力控制系统控制所述腔体的压力为0.05kPa至10kPa。本发明的等离子体薄膜沉积装置将腔体的压力控制在0.05kPa至10kPa之间，能够实现薄膜的高效、快速、低温沉积。

主权项

一种等离子体薄膜沉积装置，其特征在于，包括：腔体，所述腔体中设置有样品台；供气系统，所述供气系统包括气源、流量控制装置和气体导入管；所述气源与所述气体导入管连通，所述流量控制装置设置在所述气体导入管上；等离子体喷枪系统，所述等离子体喷枪系统与所述气体导入管连通，所述等离子体喷枪系统的另一端与所述腔体连通；抽真空系统，所述抽真空系统与所述腔体连通；用于激发等离子体气体从而产生等离子体的射频电源系统；以及压力控制系统，所述压力控制系统与所述腔体连通，在所述压力控制系统中设置有压力控制阀；所述压力控制系统控制所述腔体的压力为0.05kPa至10kPa。