TFT基板的制作方法及其结构

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法及其结构。该方法包括如下步骤：1、在基板(1)上形成栅极(21)；2、沉积栅极绝缘层(3)；3、沉积氧化物半导体层(4)与第一光阻层(5)；4、以栅极(21)为光罩，对第一光阻层(5)进行背面曝光，形成岛状第一光阻层(51)；5、形成岛状氧化物半导体层(41)，去除岛状第一光阻层(51)；6、形成岛状蚀刻阻挡层(6)；7、形成源/漏极(7)；8、沉积保护层(8)、第二光阻层(9)，并对第二光阻层(9)进行灰阶曝光、显影；9、形成像素电极过孔(81)，对第二光阻层(9)进行灰化处理；10、沉积像素电极层(10)；11、去除剩余的第二光阻层(9’)，形成像素电极(10’)；12、退火处理。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上沉积第一金属层(2)，并图案化该第一金属层(2)，形成栅极(21)；步骤2、在所述栅极(21)与基板(1)上沉积栅极绝缘层(3)；步骤3、在所述栅极绝缘层(3)上依次沉积氧化物半导体层(4)、与第一光阻层(5)；步骤4、以所述栅极(21)作为光罩，对所述第一光阻层(5)进行背面曝光，形成位于所述栅极(21)正上方的岛状第一光阻层(51)；步骤5、根据岛状第一光阻层(51)的图案蚀刻所述氧化物半导体层(4)，形成位于所述栅极(21)正上方的岛状氧化物半导体层(41)，再去除所述岛状第一光阻层(51)；步骤6、在所述岛状氧化物半导体层(41)与栅极绝缘层(3)上沉积并图案化蚀刻阻挡层，形成位于所述氧化物半导体层(41)上的岛状蚀刻阻挡层(6)；所述岛状蚀刻阻挡层(6)的宽度小于所述岛状氧化物半导体层(41)的宽度；所述岛状蚀刻阻挡层(6)覆盖岛状氧化物半导体层(41)的中间部(411)而暴露出岛状氧化物半导体层(41)的两侧部(413)；步骤7、在所述岛状蚀刻阻挡层(6)与栅极绝缘层(3)上沉积并图案化第二金属层，形成源/漏极(7)；所述源/漏极(7)与所述岛状氧化物半导体层(41)的两侧部(413)接触，形成电性连接；步骤8、在所述源/漏极(7)与岛状蚀刻阻挡层(6)上依次沉积保护层(8)、第二光阻层(9)，并对该第二光阻层(9)进行灰阶曝光、显影，在对应欲形成像素电极过孔的位置形成全曝光区域(91)，在对应欲形成像素电极的位置形成灰阶曝光区域(93)；步骤9、去除位于所述全曝光区域(91)下方的保护层(8)，形成像素电极过孔(81)，再对所述第二光阻层(9)进行灰化处理，去除所述灰阶曝光区域(93)；步骤10、在剩余的第二光阻层(9’)与保护层(8)上沉积像素电极层(10)；步骤11、去除所述剩余的第二光阻层(9’)及沉积于其上的部分像素电极层(10)，形成像素电极(10’)；所述像素电极(10’)填充所述像素电极过孔(81)，与所述源/漏极(7)接触，形成电性连接；步骤12、对步骤11的基板(1)进行退火处理。