发明名称 半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法
摘要 本发明的一种半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法属于半导体制造和工业废水处理技术。该废水回用的处理方法包括如下步骤:S1,通过废水收集箱收集硅片研磨产生的废水;S2,利用水泵将废水泵入多介质过滤器进行第一次过滤;S3,将经过第一次过滤的水送入保安过滤器进行第二次过滤;S4,将经过第二次过滤的水送入超滤膜过滤装置中进行第三次过滤;S5,通过SDI测定仪或者浊度仪测定并判断经过第三次过滤的水是否符合欲先设定的标准要求,如符合标准要求,送入产水箱;如不符合标准的要求,送入废水收集箱重复步骤S1至S4。该方法处理的水可直接利用,且无需添加药剂,系统占地面积小,减轻膜堵塞,使用效果稳定。
申请公布号 CN104150624A 申请公布日期 2014.11.19
申请号 CN201410305570.1 申请日期 2014.07.01
申请人 霖创环保科技(上海)有限公司 发明人 伍松海;刘静
分类号 C02F9/02(2006.01)I 主分类号 C02F9/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法,其特征在于,包括如下步骤:S1,通过废水收集箱收集硅片研磨产生的废水;S2,利用水泵将废水泵入多介质过滤器进行第一次过滤;S3,将经过第一次过滤的水送入保安过滤器进行第二次过滤,所述的保安过滤器用于保护超滤膜;S4,将经过第二次过滤的水送入超滤膜过滤装置中进行第三次过滤;S5,通过SDI测定仪或者浊度仪测定并判断经过第三次过滤的水是否符合欲先设定的标准要求,如符合标准要求,送入产水箱;如不符合标准的要求,送入废水收集箱重复步骤S1至S4。
地址 200237 上海市闵行区虹梅南路777号52幢第2层3A208室
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