发明名称 精确定位分析电子束缺陷检测发现的重复结构缺陷的方法
摘要 一种精确定位分析电子束缺陷检测发现的重复结构缺陷的方法,包括:第一步骤,用于利用电子束缺陷检测设备查找晶圆上的具有芯片号的芯片上的重复结构器件,并对查找出的重复结构器件设定重复结构编号;第二步骤,用于确定组成单个重复结构器件的最小重复结构,并且对所有重复结构器件设定最小结构序号;第三步骤,用于利用电子束缺陷检测设备通过比较芯片数据查找出存在异常的最小重复结构;第四步骤,用于将查找出异常的最小重复结构所对应的芯片号、重复结构编号和最小结构序号传递给聚焦离子束分析设备;第五步骤,用于通过聚焦离子束分析设备根据芯片号、重复结构编号和最小结构序号来移动晶圆将聚焦离子束位于缺陷电路区域起始位置。
申请公布号 CN104157586A 申请公布日期 2014.11.19
申请号 CN201410390740.0 申请日期 2014.08.08
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 倪棋梁;陈宏璘;龙吟
分类号 H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 王宏婧
主权项 一种精确定位分析电子束缺陷检测发现的重复结构缺陷的方法,其特征在于包括:第一步骤,用于利用电子束缺陷检测设备查找晶圆上的具有芯片号的芯片上的重复结构器件,并利用电子束缺陷检测设备对查找出的重复结构器件设定重复结构编号;第二步骤,用于确定组成单个重复结构器件的最小重复结构,并且对所有重复结构器件设定最小结构序号;第三步骤,用于利用电子束缺陷检测设备通过比较芯片数据查找出存在异常的最小重复结构;第四步骤,用于将查找出异常的最小重复结构所对应的芯片号、重复结构编号和最小结构序号传递给聚焦离子束分析设备;第五步骤,用于通过聚焦离子束分析设备根据芯片号、重复结构编号和最小结构序号来移动晶圆将聚焦离子束位于缺陷电路区域起始位置。
地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号