改良位线电容单一性的3D阵列存储器装置

摘要

本发明公开了一种改良位线电容单一性的3D阵列存储器装置，该装置具有多个平面位置；多条位线结构，具有多个平面位置的多个序列，每个序列描绘了一位线结构将该多个平面位置耦接至位线的顺序特征；每条位线被耦接于至少两相异的平面位置，使得能于两个以上相异的平面位置存取该多个存储器单元。

主权项

一种存储器装置，包括：一衬底；多个半导体材料带叠层，为脊形，且包括至少两个半导体材料带，该多个半导体材料带是以绝缘材料分隔于多个平面位置；多条字线，该多条字线是跨越该多个叠层而设置，且具有与该多个叠层共形(conformal)的表面；位于接口区域中的多个存储器元件，该多个存储器元件是透过该多个半导体材料带与该多条字线建立一存储器阵列，该接口区域是介于半导体材料带之间沟道中，该存储器阵列具有位于多个平面位置的多个存储器单元；以及多条位线结构，具有多个平面位置的多个序列，该多个序列至少包括两相异序列，每个该多个序列描绘了该多条位线结构中的一位线结构耦接至该多条位线的该多个平面位置的顺序特征，其中该多条位线结构位于该多个叠层的末端。