发明名称 |
一种磁控溅射法制备Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>薄膜的方法 |
摘要 |
一种磁控溅射法制备Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>薄膜的方法,其步骤主要是:a、清洗基片;b、溅射准备:将硅基片干燥后放在衬底上,在溅射靶上安装纯度为99.99%的Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>靶材;c、溅射Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>薄膜:将溅射室抽真空至气压小于2×10<sup>-4</sup>Pa,再通入99.995%的氩气,使溅射室气压为0.4-0.6Pa,衬底温度为360℃,进行功率为4-6W/cm<sup>2</sup>的60-600秒的溅射沉积;d、后退火处理:将沉积后的硅基片和硒粒封入气压小于1×10<sup>-2</sup>Pa的真空石英管中,置于管式炉中进行氩气保护气氛下,250℃-300℃、2-3小时的后退火处理,即得。该方法的真空条件要求低、制备时间短、成本低。 |
申请公布号 |
CN104152856A |
申请公布日期 |
2014.11.19 |
申请号 |
CN201410329154.5 |
申请日期 |
2014.07.11 |
申请人 |
西南交通大学 |
发明人 |
羊新胜;魏占涛;张敏;赵勇;闫勇 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
成都博通专利事务所 51208 |
代理人 |
陈树明 |
主权项 |
一种磁控溅射法制备Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>薄膜的方法,其步骤是:a、清洗基片:将硅基片依次在丙酮、乙醇、去离子水中进行10‑20分钟的超声清洗;b、溅射准备:将硅基片用热氮气干燥后放在磁控溅射设备的衬底上,在磁控溅射设备的溅射靶上安装纯度为99.99%的Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>靶材,调整溅射靶到硅基片的距离为5‑7厘米;c、溅射Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>薄膜:将溅射室抽真空至气压小于2×10<sup>‑4</sup>Pa,再通入纯度为99.995%的氩气,使溅射室气压为0.4‑0.6Pa,调整衬底温度为360℃,进行溅射功率为4‑6W/cm<sup>2</sup>、时间为60‑600秒的溅射沉积;d、后退火处理:将c步所得的沉积有Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>薄膜的硅基片和0.1‑0.5g的硒粒一起封入气压小于1×10<sup>‑2</sup>Pa的真空石英管中,置于管式炉中进行氩气保护气氛下的后退火处理,后退火处理时的参数为:以2℃/min升至250℃‑300℃,再保温2‑3小时;然后炉冷,即得。 |
地址 |
610031 四川省成都市二环路北一段111号 |