| 发明名称 | 静态随机存储器单元的抗干扰电路和存储元件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种静态随机存储器单元的抗干扰电路和存储元件。静态随机存储器单元的抗干扰电路包括：在所述静态随机存储器单元的存储节点(Q、QB)上分别连接的串联的第一开关元件和电容，第一开关元件受第一字线(WLB)控制，第一字线在所述静态随机存储器单元的读写操作和保持操作期间分别使第一开关元件关断和导通。它能够在保持操作期间，具有很高的抗干扰性能，另外，在SRAM单元读写时，不会因为存储节点连接的元件过多而导致读写速度变慢。 | ||
| 申请公布号 | CN104157303A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201410337061.7 | 申请日期 | 2014.07.15 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘梦新;刘鑫;赵发展;韩郑生 |
| 分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种静态随机存储器单元的抗干扰电路，包括：在所述静态随机存储器单元的存储节点(Q、QB)上分别连接的串联的第一开关元件和电容，第一开关元件受第一字线(WLB)控制，第一字线在所述静态随机存储器单元的读写操作和保持操作期间分别使第一开关元件关断和导通。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||