发明名称 |
低损耗高稳定性高互调双频4G合路器 |
摘要 |
本发明公开了一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器,在谐振腔的左侧安装有天线端口N型连接器一,在谐振腔的右侧安装有GSM、DCS端口N型连接器二和TDA、TDF、LTE端口N型连接器三,在谐振腔的内部安装有多个相互耦合的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容、LTE信号大功率谐振电容和带外杂散信号近端和远端抑制控元件。本发明既可当单个滤波模块使用又可当合路器使用,具有损耗小、高互调、功率容量高、外型尺寸小、设计美观、信号专输通畅、安装维护方便等诸多优点。 |
申请公布号 |
CN104157943A |
申请公布日期 |
2014.11.19 |
申请号 |
CN201410389918.X |
申请日期 |
2014.08.08 |
申请人 |
董后友 |
发明人 |
董后友 |
分类号 |
H01P1/213(2006.01)I |
主分类号 |
H01P1/213(2006.01)I |
代理机构 |
安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 |
代理人 |
方琦 |
主权项 |
一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器,其特征在于:包括有谐振腔,在谐振腔的顶部固定有盖板,在谐振腔内侧电镀银层,在谐振腔的左侧安装有天线端口N型连接器一,在谐振腔的右侧安装有GSM、DCS端口N型连接器二和TDA、TDF、LTE端口N型连接器三,在谐振腔的内部安装有多个相互耦合的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容、LTE信号大功率谐振电容和带外杂散信号近端和远端抑制控元件,所有的大功率谐振电容在谐振腔内分六行分布,第一行和第二行、第三行和第四行、第五行和第六行之间分布设有信号隔离导向板,所述的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容上均连接有输入传输线和输出传输线,所述的输入传输线均与天线端口N型连接器一连接,GSM信号大功率谐振电容和DCS信号大功率谐振电容连接的输出传输线与GSM、DCS端口N型连接器二连接,TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容连接的输出传输线与TDA、TDF、LTE端口N型连接器三连接。 |
地址 |
238339 安徽省芜湖市无为县姚沟工业园南湖东路09号 |