深通孔电阻的测试结构及测试方法

摘要

本发明公开了一种深通孔电阻的测试结构，包括：四个位于衬底埋层两侧穿通隔离层连接衬底埋层的深通孔，介电质隔离硅片表面与第一层金，所述各深通孔通过第一层金属连接测试结构至测试焊点，形成六各测试端口分别连接激励线、激励线、检测线、检测线、检测线和检测线。本发明还提供了利用所述测试结构测试深通孔电阻和衬底寄生等效电阻的测试方法。本发明的深通孔电阻的测试结构及测试方法通过施加一次激励电流，能分别检测出两端深通孔的电阻与衬底埋层电阻间的电压降和衬底埋层电阻的电压降，经过一次计算即能精确解出深通孔电阻和衬底寄生等效电阻。

主权项

一种深通孔电阻的测试结构，其特征是，包括：四个位于衬底埋层（103）两侧穿通隔离层（102）连接衬底埋层（103）的深通孔（100）；介电质层（101）隔离硅片表面与第一层金属（104），所述各深通孔（100）通过第一层金属（104）连接测试结构至测试焊点，形成六各测试端口分别连接激励线（F1）、激励线（F2）、检测线（S1）、检测线(S2)、检测线(S3)和检测线(S4)。