| 发明名称 | 双重图形化形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种双重图形化形成方法，包括：第一步骤，在晶圆衬底表面依次布置待刻蚀层、硬掩模层以及第一光刻胶层，并且通过第一次光刻形成图案光刻胶层的第一光刻胶图案；第二步骤，生长保护膜以覆盖第一光刻胶图案和暴露出来的硬掩模层；第三步骤，在保护膜布置第二光刻胶层，并对第二光刻胶层执行第二次光刻以在保护膜上形成第二光刻胶图案；第四步骤，执行干法刻蚀，将第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行转移到待刻蚀层，以得到待刻蚀层的图案。 | ||
| 申请公布号 | CN104157553A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201410403328.8 | 申请日期 | 2014.08.15 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 雷通;周海锋 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 王宏婧 |
| 主权项 | 一种双重图形化形成方法，其特征在于包括：第一步骤，在晶圆衬底表面依次布置待刻蚀层、硬掩模层以及第一光刻胶层，并且通过第一次光刻形成图案光刻胶层的第一光刻胶图案；第二步骤，生长保护膜以覆盖第一光刻胶图案和暴露出来的硬掩模层；第三步骤，在保护膜布置第二光刻胶层，并对第二光刻胶层执行第二次光刻以在保护膜上形成第二光刻胶图案；第四步骤，执行干法刻蚀，将第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行转移到待刻蚀层，以得到待刻蚀层的图案。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||