TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板结构

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板结构，所述TFT阵列基板结构包括基板(1)、位于基板(1)上的第一金属电极(2)、位于基板(1)上且完全覆盖所述第一金属电极(2)的栅极绝缘层(3)、位于栅极绝缘层(3)上的岛状半导体层(4)、位于栅极绝缘层(3)与岛状半导体层(4)上的第二金属电极(6)、位于第二金属电极(6)上的保护层(8)、位于保护层(8)上的色阻层(7)、位于色阻层(7)上的保护层(12)、及位于保护层(12)上的第一像素电极层(9)；所述保护层(8)、色阻层(7)与保护层(12)上具有一过孔(81)，所述过孔(81)内部填充有机材料层(10)。

主权项

一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上沉积第一金属层并图案化，形成第一金属电极(2)；步骤2、在所述第一金属电极(2)与基板(1)上形成栅极绝缘层(3)、及岛状半导体层(4)；步骤3、在栅极绝缘层(3)与岛状半导体层(4)上沉积第二金属层并图案化，形成第二金属电极(6)；步骤4、在所述第二金属电极(6)上沉积保护层并图案化，形成保护层(8)；步骤5、在所述保护层(8)上涂布色阻层(7)，在所述色阻层(7)上沉积保护层并图案化，形成保护层(12)，并在保护层(8)、色阻层(7)与保护层(12)上形成过孔(81)；步骤6、在所述保护层(12)和第二金属电极(6)上形成像素电极层与有机材料层(10)。