雪崩光电二极管

摘要

本实用新型公开了一种雪崩光电二极管，属于光电二极管领域。所述雪崩光电二极管包括：n-型半导体层、n-型光吸收层、n-型带有突起的电荷层、n-型倍增层、p-型扩散区和p-型保护环；其中，所述n-型光吸收层位于所述n-型半导体层和所述n-型带有突起的电荷层之间；所述n-型带有突起的电荷层为中心向上突起的半导体层，所述n-型带有突起的电荷层位于所述n-型光吸收层与所述n-型倍增层之间；所述p-型扩散区和所述p-型保护环位于所述n-型倍增层上方。本实用新型通过采用n-型带有突起的电荷层和p-型扩散区和p-型保护环，调节了pn结周围的电场分布，实现了对噪声性和暗电流的有效控制。

主权项

一种雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管包括：n‑型半导体层、n‑型光吸收层、n‑型带有突起的电荷层、n‑型倍增层、p‑型扩散区和p‑型保护环；其中，所述n‑型光吸收层位于所述n‑型半导体层和所述n‑型带有突起的电荷层之间；所述n‑型带有突起的电荷层为中心向上突起的半导体层，所述n‑型带有突起的电荷层位于所述n‑型光吸收层与所述n‑型倍增层之间；所述p‑型扩散区和所述p‑型保护环位于所述n‑型倍增层上方。