半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极材料层；使所述栅极材料层的至少一部分转变为金属硅化物层；在至少部分栅极材料转变为金属硅化物层的步骤之后，刻蚀部分所述栅极材料层以形成栅极。所述半导体器件包括：衬底以及设于衬底中的源极和漏极，所述栅极结构还包括栅极结构，所述栅极结构包括栅极材料层以及位于所述栅极材料层表面的金属硅化物层，所述金属硅化物层由部分栅极材料层转变得到。本发明的有益效果在于，包括金属硅化物层的栅极具有较小的电阻值，进而在一定程度上减小了形成的半导体器件的功率消耗。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括:提供衬底；在所述衬底上形成栅极材料层；使所述栅极材料层的至少一部分转变为金属硅化物层；在至少部分栅极材料转变为金属硅化物层的步骤之后，刻蚀部分所述栅极材料层以形成栅极。