具可编程可抹除的单一多晶硅层非挥发性存储器

摘要

本发明公开一种具可编程可抹除的单一多晶硅非挥发性存储器，其包括：一基板结构；一浮动栅极晶体管，包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一沟道区域位于一N型阱区内；以及一抹除栅区域，包括一P型阱区与一n型源/漏区域，该n型源/漏区域连接至一抹除线电压，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该抹除栅区域；其中，该P型阱区与该N型阱区形成于该基板结构中，该栅极氧化层包括一第一部分位于该沟道区域上方，以及一第二部分位于该抹除栅区域上方，并且该栅极氧化层的该第一部分的厚度相异于该栅极氧化层的该第二部分的厚度。

主权项

一种具可编程可抹除的单一多晶硅非挥发性存储器，包括：基板结构；浮动栅极晶体管，包括浮动栅极、栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及沟道区域位于一N型阱区内；以及抹除栅区域，包括P型阱区与n型源/漏区域，该n型源/漏区域连接至一抹除线电压，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该抹除栅区域；其中，该P型阱区与该N型阱区形成于该基板结构中，该栅极氧化层包括第一部分位于该沟道区域上方，以及第二部分位于该抹除栅区域上方，并且该栅极氧化层的该第一部分的厚度相异于该栅极氧化层的该第二部分的厚度。