双重图形化鳍式晶体管的鳍结构线顶端切断方法

摘要

本发明公开了一种双重图形化鳍式晶体管的鳍结构线顶端切断方法，先通过氮化硅硬掩模线条形成鱼鳍结构，然后进行鱼鳍线顶端切断的光刻和刻蚀工艺，此时需要切断的深度比较大，使得刻蚀有足够的时间和空间去调整刻蚀菜单以平衡各个层次的刻蚀速率，如平坦化层SOC、氮化硅、二氧化硅、硅衬底，从而使得切断处底部形貌更加平坦并最终完成鳍结构形成，避免刻蚀过程中硅凸起和硅锥的产生，以提高器件的电性能。

主权项

一种双重图形化鳍式晶体管的鳍结构线顶端切断方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供一半导体器件衬底，并在该衬底上淀积包括氮化硅层的多层层次；步骤S02，利用核心牺牲层图形工艺形成的侧墙作为掩模，刻蚀出氮化硅硬掩模线条；步骤S03，以该氮化硅硬掩模线条作为掩模刻蚀衬底，形成具有硅槽的鳍结构；步骤S04，在形成的鳍结构上涂布掩模层和光刻胶，图形化光刻胶形成需切断的图形；步骤S05，通过刻蚀，去除需切断处的氮化硅硬掩模线条及衬底，形成平坦的鳍结构线顶端；步骤S06，去除步骤S04中涂布的掩模层，得到完成线顶端切断的鳍结构。