| 发明名称 | 梯度式干法去胶方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种梯度式干法去胶方法，采用一具有光刻胶的晶圆，光刻胶表面具有经高能粒子注入后形成的硬壳；其包括：对晶圆表面进行预加热过程；对光刻胶表面的硬壳进行软化过程；去除光刻胶表面的硬壳，在晶圆表面有残余光刻胶；去除残余光刻胶。采用本发明的方法，不仅可以有效去除光刻胶，还可以避免光刻胶爆裂、残留、多晶硅损伤等工艺缺陷，进一步提高了产品良率。 | ||
| 申请公布号 | CN104157566A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201410412283.0 | 申请日期 | 2014.08.20 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 荆泉;高腾飞;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种梯度式干法去胶方法，采用一具有光刻胶的晶圆，所述光刻胶表面具有经高能粒子注入后形成的硬壳；其特征在于，所述梯度式干法去胶方法包括以下步骤：步骤01：对所述晶圆表面进行预加热过程；步骤02：对所述光刻胶表面的硬壳进行软化过程；步骤03：去除所述光刻胶表面的硬壳，在所述晶圆表面有残余光刻胶；步骤04：去除所述残余光刻胶。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||