低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本申请提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法，该LTPS TFT依次包括：基板、具有若干个条形凸起的导热层、平坦化层和具有若干个活性沟道的有源层，所述有源层由低温多晶硅薄膜施加黄光制程形成，所述有源层上设置有栅极绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极和漏电极；每个所述条形凸起的所在位置在相应的每个所述活性沟道的所在位置的一侧之外，且两个位置相邻；每个所述条形凸起的长度大于相应的每个所述活性沟道的宽度。本申请能获得大的多晶硅晶粒，并使薄膜晶体管的活性沟道完全位于单个晶粒内部，从而避免多晶硅晶界对载流子迁移率的不利影响，且消除了因晶界存在而产生的漏电流现象，能实现最简单的像素电路驱动结构。

主权项

一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括：基板；设置在在所述基板上的导热层，所述导热层具有若干个条形凸起；设置在所述导热层上的平坦化层；设置在所述平坦化层上的有源层，所述有源层由低温多晶硅薄膜施加黄光制程形成，所述有源层具有若干个活性沟道；设置在所述有源层上的栅极绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极和漏电极；每个所述条形凸起的所在位置在相应的每个所述活性沟道的所在位置的一侧之外，且两个位置相邻；每个所述条形凸起的长度大于相应的每个所述活性沟道的宽度。