克服短沟道效应提升频率的局部SOI LDMOS器件

摘要

本发明公开了一种克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，属于半导体器件领域。包括半导体衬底1、沟道区2、漂移区3、源区4、漏区5、栅氧6、场氧7、栅8、沟道衬底重掺杂区9、BOX层18、侧墙19、源极扩展区20，其中漂移区3为横向变掺杂结构，其特征在于，所述BOX层靠近漂移区一端沿漂移区宽度方向开有通槽，所述BOX层18位于沟道的正下方、或者位于沟道和部分源区的正下方、或者位于沟道和源区的正下方，以保证击穿电压的同时提升器件的频率特性和驱动能力。本发明有效抑制了短沟道效应，在保证击穿电压的同时提升频率特性和驱动能力。

主权项

一种克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，包括半导体衬底(1)、沟道区(2)、漂移区(3)、源区(4)、漏区(5)、栅氧(6)、场氧(7)、栅(8)、沟道衬底重掺杂区(9)、BOX层(18)、侧墙(19)、源极扩展区(20)，漂移区(3)采用横向变掺杂结构，其特征在于，所述BOX层(18)靠近漂移区一端沿漂移区宽度方向开有通槽，所述BOX层(18)位于沟道的正下方、或者位于沟道和部分源区的正下方、或者位于沟道和源区的正下方。