新型量子阱势垒层的LED外延生长方法及外延层

摘要

本发明提供了一种新型量子阱势垒层的LED外延生长方法及LED外延层，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长非掺杂GaN层、生长n型AlGaN层、生长n型GaN层、生长有源层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长p型接触层步骤，在传统的有源层GaN势垒层中间穿插生长一个AlGaN薄层，以增强发光层对电子的限制和扩展能力，提高量子阱束缚电子的能力，使得空穴和电子在势阱的辐射复合率明显增加，增强内量子效率，从而改善LED器件的光电性能。

主权项

一种新型量子阱势垒层的LED外延生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长非掺杂GaN层、生长n型AlGaN层、生长n型GaN层、生长有源层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长p型接触层步骤，其特征在于，所述生长有源层MQW层的步骤为：A、在气氛为氮气，或者气氛为氮气与氢气混合气体的反应室内，压力为150‑300torr，温度730‑760℃，通入三乙基镓和三甲基铟的混合物或者是通入三甲基镓和三甲基铟的混合物，持续生长InxGa_(1‑x)N势阱层，其中0＜x<1，In的掺杂浓度2E+20‑3E+20atom/cm³，InxGa_(1‑x)N势阱层的厚度为2.5‑3.5nm；B、温度升为840‑890℃，停止通入三甲基铟，持续生长GaN势垒层，厚度为4‑5nm；C、通入三甲基铝，持续生长AlyGa_(1‑y)N势垒层，其中0＜y<1，AlyGa_(1‑y)N势垒层的厚度为1‑2nm，Al掺杂浓度4E+19‑8E+19atom/cm³；D、温度升为840‑890℃，停止通入三甲基铝，持续生长GaN势垒层，厚度为4‑5nm；A、B、C、D步骤的循环周期数为10‑13。