发明名称 |
激光加工方法 |
摘要 |
本发明提供一种激光加工方法,能够沿分割预定线将单晶基板高效率地分割成一个个芯片,并且不会降低芯片的品质。该激光加工方法是向单晶基板照射脉冲激光光线来实施加工的方法,其包括以下工序:数值孔径设定工序,设定对脉冲激光光线进行聚光的聚光镜的数值孔径(NA),使得聚光镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)所得到的值在0.05~0.2的范围以内;定位工序,对聚光镜和单晶基板相对地在光轴方向上进行定位,使得脉冲激光光线的聚光点被定位在单晶基板的厚度方向上的期望位置;以及遮护隧洞形成工序,照射脉冲激光光线,使细孔和遮护细孔的非晶质在定位于单晶基板的聚光点与照射了脉冲激光光线的一侧之间生长,形成遮护隧洞。 |
申请公布号 |
CN104148816A |
申请公布日期 |
2014.11.19 |
申请号 |
CN201410192756.0 |
申请日期 |
2014.05.08 |
申请人 |
株式会社迪思科 |
发明人 |
武田昇;森数洋司 |
分类号 |
B23K26/53(2014.01)I;B23K26/0622(2014.01)I;B23K26/064(2014.01)I |
主分类号 |
B23K26/53(2014.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;蔡丽娜 |
主权项 |
一种激光加工方法,是向单晶基板照射脉冲激光光线来实施加工的方法,所述激光加工方法的特征在于,包括以下工序:数值孔径设定工序,设定对脉冲激光光线进行聚光的聚光镜的数值孔径(NA),使得聚光镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)所得到的值在0.05~0.2的范围以内;定位工序,对聚光镜和单晶基板相对地在光轴方向上进行定位,使得脉冲激光光线的聚光点被定位在单晶基板的厚度方向上的期望位置;以及遮护隧洞形成工序,照射脉冲激光光线,使细孔和遮护该细孔的非晶质在定位于单晶基板的聚光点与脉冲激光光线所入射的一侧之间生长,形成遮护隧洞。 |
地址 |
日本东京都 |