用于制造功率半导体器件的方法

摘要

本发明涉及用于制造功率半导体器件的方法。为了制造功率半导体器件，在第一导电类型的衬底的第一主要侧上制作第一氧化物层。然后在所述第一主要侧上、在所述第一氧化物层的顶部上制作具有至少一个开口的结构化栅电极层。利用所述结构化栅电极层作为掩模，将所述第一导电类型的第一掺杂剂注入到在所述第一主要侧的衬底中，并且所述第一掺杂剂被扩散到衬底中。然后第二导电类型的第二掺杂剂被注入到在所述第一主要侧的衬底中，并且所述第二掺杂剂被扩散到衬底中。在将所述第一掺杂剂扩散到衬底中之后并且在将所述第二掺杂剂注入到衬底中之前，部分地除去所述第一氧化物层。所述结构化栅电极层被用作用于注入所述第二掺杂剂的掩模。

主权项

用于制造功率半导体器件的方法，所述方法包括下列制造步骤：在第一导电类型的衬底(1)的第一主要侧上制作第一氧化物层(22)，在所述第一主要侧上、在所述第一氧化物层(22)的顶部上制作具有至少一个开口(31)的栅电极层(3)，利用所述栅电极层(3)作为掩模，将第一导电类型的第一掺杂剂注入到在所述第一主要侧的衬底(1)中，所述第一掺杂剂被扩散到衬底(1)中，第二导电类型的第二掺杂剂被注入到在所述第一主要侧的衬底(1)中，以及所述第二掺杂剂被扩散到衬底(1)中，其特征在于在将所述第一掺杂剂扩散到衬底(1)中之后并且在将所述第二掺杂剂注入到衬底(1)中之前，部分地除去所述第一氧化物层(22)，通过将第二导电类型的第二掺杂剂注入到在所述第一主要侧的衬底中及通过将所述第二掺杂剂扩散到衬底中而形成基极层，从而所述基极层在开口下方的中心区域中具有较低的深度，所述深度小于所述基极层在外围区域中延伸至的最大深度；以及所述栅电极层(3)被用作用于注入所述第二掺杂剂的掩模。