使用导体或半导体材料纳米线的塞贝克/帕尔帖双向热电转换装置

摘要

本发明涉及塞贝克/帕尔帖双向热电转换装置、特别是使用通过一般平面工艺在衬底上限定的导体或半导体材料纳米线的装置。

主权项

一种在衬底上实现的使用纳米线的塞贝克/帕尔帖效应的双向热电转换装置，该装置包含：至少一个并行的间隔开的纳米线阵列，所述纳米线截面具有低于40纳米的至少线性尺寸或直径，位于它们形成于其上的所述衬底表面的平面区域；具有低热导率的电介质材料层，其填充所述阵列的纳米线之间的间隔空间，并具有比所述纳米线高度大的厚度；在所述阵列的相对侧上所述纳米线的端部的电连接金属化部，将并行连接的纳米线组中的纳米线串行互连到并行的其它纳米线组，并且将纳米线的整个串行‑并行网络连接到外部电路；与在一侧上和在相对侧上的所述阵列的纳米线的端部重合的表面，从而构成了该转换装置的不同温度的表面。