| 发明名称 | 生产半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及生产半导体晶片的方法，其包括以下给定顺序的步骤：(a)对从单晶切割出的半导体晶片进行双面去除材料式加工；(b)对半导体晶片的边缘进行倒圆；(c)磨削半导体晶片的正面和背面，其中分别利用晶片固定器将半导体晶片的一个面固定，同时利用磨削工具对另一面进行加工；(d)使用含有牢固粘结的磨料的抛光布对半导体晶片的至少一个面进行抛光；(e)使用蚀刻介质对半导体晶片的双面进行处理，且半导体晶片每一面的材料去除量不大于1μm；(f)使用含有牢固粘结的磨料的抛光布对半导体晶片正面进行抛光，同时使用不含磨料的抛光布但是在将含有磨料的抛光剂引入抛光布与半导体晶片背面之间的情况下对半导体晶片背面进行抛光；(g)对半导体晶片的边缘进行抛光；(h)使用含有牢固粘结的磨料的抛光布对半导体晶片背面进行抛光，同时使用不含牢固粘结的磨料的抛光布在将含有磨料的抛光剂引入抛光布与半导体晶片正面之间的情况下对半导体晶片正面进行抛光。 | ||
| 申请公布号 | CN102484042B | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201080038036.9 | 申请日期 | 2010.08.11 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | J·施万德纳 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;B24B37/08(2012.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 生产半导体晶片的方法，其包括以下给定顺序的步骤：(a)对从单晶切割出的半导体晶片进行双面去除材料式加工；(b)对半导体晶片的边缘进行倒圆；(c)磨削半导体晶片的正面和背面，其中分别利用晶片固定器将半导体晶片的一个面固定，同时利用磨削工具对另一面进行加工；(d)使用含有牢固粘结的磨料的抛光布对半导体晶片的至少一个面进行抛光；(e)使用蚀刻介质对半导体晶片的双面进行处理，且半导体晶片每一面的材料去除量不大于1μm；(f)使用含有牢固粘结的磨料的抛光布对半导体晶片正面进行抛光，同时使用不含磨料的抛光布但是在将含有磨料的抛光剂引入抛光布与半导体晶片背面之间的情况下对半导体晶片背面进行抛光；(g)对半导体晶片的边缘进行抛光；(h)使用含有牢固粘结的磨料的抛光布对半导体晶片背面进行抛光，同时使用不含牢固粘结的磨料的抛光布在将含有磨料的抛光剂引入抛光布与半导体晶片正面之间的情况下对半导体晶片正面进行抛光。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||