| 发明名称 |
非注入障壁領域を含む半導体デバイス及びその製造方法 |
| 摘要 |
電子デバイスが、ｎ型ドリフト領域を含む炭化ケイ素層と、このドリフト領域との間にショットキー接合部を形成する接点と、炭化ケイ素層上のｐ型接合障壁領域とを含む。ｐ型接合障壁領域は、ドリフト領域との間にＰＮヘテロ接合部を形成するｐ型ポリシリコン領域を含み、接点と電気的に接続する。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2014530483(A) |
申请公布日期 |
2014.11.17 |
| 申请号 |
JP20140529851 |
申请日期 |
2012.09.06 |
| 申请人 |
クリー インコーポレイテッドＣＲＥＥ ＩＮＣ． |
发明人 |
アレン スコット トーマス;チャン チンチュン |
| 分类号 |
H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/868;H01L29/872 |
主分类号 |
H01L29/861 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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