| 发明名称 |
ショットキー・ダイオード |
| 摘要 |
本開示は、一般に、基板と、基板の上に設けられるドリフト層と、ドリフト層のアクティブ領域の上に設けられるショットキー層とを有するショットキー・ダイオードに関連する。ショットキー層のための金属と、ドリフト層のための半導体材料とは、ドリフト層とショットキー層との間に低い障壁高さのショットキー接合を提供するように、選択される。 |
| 申请公布号 |
JP2014530484(A) |
申请公布日期 |
2014.11.17 |
| 申请号 |
JP20140529880 |
申请日期 |
2012.09.07 |
| 申请人 |
クリー インコーポレイテッドＣＲＥＥ ＩＮＣ． |
发明人 |
ヘニング，ジェイソン・パトリック;ジャーン，チーンチュン;リュー，セイ−ヒュン;アガーワル，アナント・クマール;パルマー，ジョン・ウィリアムズ;アレン，スコット |
| 分类号 |
H01L29/872;H01L21/265;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/868 |
主分类号 |
H01L29/872 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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