发明名称 確率的方法により露出するパターンの逆畳み込みを用いて電子近接効果を補正する方法
摘要 本発明は、約10nmのオーダーの限界寸法を有する放射によるリソグラフィ方法に適用できる。本発明の方法は、線量調整および幾何学的形状の補正の同時最適化により近接効果の補正を行うことを可能にする。従って、エッチング対象のパターンの逆畳み込みが、同時確率分布により放射と樹脂被覆支持部との相互作用をモデル化する反復プロシージャにより実行される。有利には、支持部露光ツールが成形ビーム方式である場合、エッチング対象のパターンはコントラストのあるレベルに分割され、次いで逆畳み込み画像がベクトル化されて露光ステップを実行する前に細分化される。有利な実施形態において、本発明の方法は、マルチパスセル投影法で露光される少なくとも2個の文字セルに適用される。
申请公布号 JP2014530479(A) 申请公布日期 2014.11.17
申请号 JP20140529026 申请日期 2012.09.12
申请人 コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ;アセルタ ナノグラフィクス 发明人 スラン、セバスティアン
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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