| 摘要 |
半導体ダイ１１０−１が記載される。この半導体ダイは、ドライバ１１４−１と、ドライバに電気的に結合され、半導体ダイの表面１１２−１に近接する空間配列トランスデューサ１１６−１とを含む。ドライバは空間配列トランスデューサにおいて少なくとも１方向に空間変動電荷分布を生成し、それにより半導体ダイの表面と別の半導体ダイ１１０−２の表面１１２−２との間の縦の間隔２１０の決定を容易にする。特に、別の半導体ダイの表面に近接する空間配列センサ１２０−２は、空間変動電荷分布に対応する電界（または対応する静電電位）を検出することができる。この検出された電界により、半導体ダイの表面間の縦の間隔を決定することができる。 |
