用于磁致伸缩式随机存取记忆体（ＭＲＡＭ）的小形状因数磁遮罩;SMALL FORM FACTOR MAGNETIC SHIELD FOR MAGNETORESTRICTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM)

摘要

一些实现提供包括磁阻式随机存取记忆体(MRAM)单元阵列的晶粒,该MRAM单元阵列包括若干MRAM单元。该晶粒亦包括位于该MRAM单元阵列上方的第一铁磁层、位于该MRAM单元阵列下方的第二铁磁层以及位于至少一个MRAM单元周围的若干通孔。通孔包括铁磁材料。在一些实现中,第一铁磁层、第二铁磁层和该若干通孔定义用于该MRAM单元阵列的磁遮罩。MRAM单元可包括磁隧道结(MTJ)。在一些实现中,该若干通孔至少穿过晶粒的金属层和介电层。在一些实现中,通孔是贯穿基板通孔。在一些实现中,铁磁材料具有高磁导率和高B饱和度。