记忆元件及其制造方法;MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

摘要

一种记忆元件包括基底、多数个绝缘结构、多数条位元线、多数个介电层、多数对电荷储存结构以及多数条字元线。所述基底中具有多数个沟渠,各沟渠沿第一方向排列。所述绝缘结构位于所述沟渠中。所述位元线位于所述绝缘结构下方的所述基底中。各介电层位于相邻的两个绝缘结构之间的所述基底上。各电荷储存结构位于相邻的所述绝缘结构与所述介电层之间的所述基底上。各字元线沿第二方向排列,覆盖所述绝缘结构、所述电荷储存结构、所述介电层以及部分所述基底。