| 发明名称 |
使用二矽氧烷先质之膜的沉积;DEPOSITION OF FILMS USING DISILOXANE PRECURSORS |
| 摘要 |
本发明提供使用二矽氧烷或二矽氧烷衍生物沉积各种含矽膜的方法。某些方法系关于使用含氧化合物、电浆或者卤代矽烷沉积SixOy。某些其他方法系关于使用金属卤化物及二矽氧烷沉积金属氧化物。又其他方法系关于使用二矽氧烷或含碳二矽氧烷衍生物，以及可能地使用有机氢氧化物，沉积SiOC膜。 |
| 申请公布号 |
TW201443274 |
申请公布日期 |
2014.11.16 |
| 申请号 |
TW103108455 |
申请日期 |
2014.03.11 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
汤普森大卫;萨利马克 |
| 分类号 |
C23C16/455(2006.01);C23C16/513(2006.01);C23C16/32(2006.01);C23C16/40(2006.01);C23C16/42(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>蔡坤财</name><name>李世章</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
