单一多晶矽板低导通电阻延伸汲极金属氧化半导体装置;SINGLE POLY PLATE LOW ON RESISTANCE EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

一种由一漂移区中之一掺杂浅汲极布植所定义之半导体装置,特别是一种延伸汲极金属氧化半导体(ED-MOS)装置。举例而言,一延伸汲极n通道金属氧化半导体(ED-NMOS)装置系由漂移区中之一n掺杂浅汲极(NDD)布植所定义。又此装置之特征为部分与一基板隔开了一薄氧化物层而另一部分与基板隔开了一厚/薄氧化物层之导电层。又提供一种具有一漂移区之一掺杂浅汲极布植之半导体装置(更特别是ED-NMOS装置)之制造方法。又提供一种方法来制造部分配置横越过一薄氧化物层而另一部分横越过一厚/薄氧化物层之导电层。