沟渠式功率半导体元件的制作方法;METHOD FOR FABRICATING TRENCH TYPE SEMICONDUCTOR POWER DEVICE

摘要

一种沟渠式功率电晶体元件的制作方法。首先提供一基底;再于该基底上形成一磊晶层;于该磊晶层中形成至少一闸极沟槽;于该闸极沟槽内形成一闸极氧化层;再于该闸极沟槽中形成一闸极;然后进行一离子布植制程,于该磊晶层中形成一源极掺杂区;再全面沈积一介电层,使该介电层覆盖该沟渠闸极以及该闸极氧化层;蚀刻该介电层及该磊晶层,形成一接触洞;进行一基极离子布植制程,经由该接触洞于该磊晶层中形成至少一掺杂区;以及进行一接触洞离子布植制程,于该接触洞底部形成一接触掺杂区。